頭條焦點：Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管，提升開關電源設計能效和可靠性

器件采用MPS結構設計，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關電源設計能效和可靠性。

日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封裝和D²PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由于采用MPS結構，器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V，正向壓降與電容電荷乘積，即電源能效重要優(yōu)值系數（FOM），相比上一代解決方案降低17%。

【資料圖】

與接近的競品解決方案相比，二極管室溫下典型反向漏電流低30%，高溫下低70%。因此降低了導通損耗，確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極管不同，第三代器件幾乎沒有恢復拖尾，從而能夠進一步提升效率。

與擊穿電壓相當的硅二極管相比，SiC二極管熱導率高，反向電流低，反向恢復時間短。二極管反向恢復時間幾乎不受溫度變化的影響，可在+175 °C高溫下工作，不會因開關損耗造成能效變化。

器件典型應用包括發(fā)電和勘探應用領域FBPS和LLC轉換器中的AC/DC功率因數校正（PFC）和 DC/DC超高頻輸出整流。器件具有高可靠性，符合RoHS標準，無鹵素，通過2000小時高溫反偏（HTRB）測試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試，測試時間和循環(huán)次數是AEC-Q101規(guī)定的兩倍。

新型SiC二極管現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為八周。

VISHAY簡介

Vishay 是全球最大的分立半導體和無源電子元件系列產品制造商之一，這些產品對于汽車、工業(yè)、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設計至關重要。服務于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.?。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

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