【原創(chuàng)】大為創(chuàng)芯：DRAM Q3有望反彈，但NAND Flash反彈有難度

(資料圖)

作者：張國斌、曾思敏

當一個市場處于下行趨勢時，需要有新的刺激，才能改變市場的走勢，在經(jīng)歷近一年大幅下跌之后 ，有哪些行業(yè)將給存儲產(chǎn)業(yè)注入新的活力，改變其走勢呢？在近日的2023CFMS閃存峰會上，深圳市大為創(chuàng)新科技股份有限公司(股票代碼：002213，下稱“大為股份”)旗下存儲業(yè)務(wù)子公司深圳市大為創(chuàng)芯微電子科技有限公司（下稱“大為創(chuàng)芯”）首席技術(shù)官陳宗廷在接受電子創(chuàng)新網(wǎng)等媒體采訪時指出，他認為人工智能、新能源汽車等將帶動存儲市場反彈。

“人工智能應(yīng)用主要分為四個流程，感知、運算、學習和生成。運算跟學習會用到非常多的存儲，尤其是在學習的過程中，因為要把已知的資料跟算法分別歸類去做儲存，所以對存儲需求很大，這也是大為創(chuàng)芯積極在布局的市場，亦是大為創(chuàng)芯的優(yōu)勢領(lǐng)域，如人臉辨識、智能家居，都是貼近消費者的產(chǎn)品，這個領(lǐng)域是大為創(chuàng)芯有成熟產(chǎn)品的領(lǐng)域。”他解釋說，“存儲市場，2022年其實就已經(jīng)很低迷，整個的供給是大于需求的。但是如果反過來看，DRAM各廠家已經(jīng)確定減產(chǎn)了，所以在23年的三季度DRAM會到達一個供需平衡，然后年底有機會反彈。”

不過他認為NAND Flash反彈有難度，因為NAND flash早就已經(jīng)供給大于需求了，而且隨著新制程的推出，整個flash市場比較難達到一個供需平衡。 不過，數(shù)字化推動數(shù)據(jù)中心興起，在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，DRAM跟SSD 的需求量是非常龐大的。所以在國內(nèi)數(shù)據(jù)中心帶動下，會不會讓整個國內(nèi)市場觸底反彈？他認為2023年Q4也許有機會。

此外，他認為在新能源車的帶動下，車用存儲器也會反彈。而隨著chatGPT走熱，也會用到大量的內(nèi)存條和SSD，甚至延伸到消費者終端的嵌入式產(chǎn)品里。

他表示針對這樣的趨勢，大為創(chuàng)芯為數(shù)據(jù)中心規(guī)劃了DDR5內(nèi)存條，產(chǎn)品有望陸續(xù)在2023年第四季度和2024年第一季度量產(chǎn)。在新能源汽車領(lǐng)域，大為創(chuàng)芯會推出新能源汽車專用的DRAM(Low Power DDR/DDR)、eMMC等寬溫級產(chǎn)品，布局汽車輔助駕駛360環(huán)視領(lǐng)域，目前已經(jīng)有客戶群。

從技術(shù)發(fā)展趨勢來看，PC市場內(nèi)存條已經(jīng)從DDR4向DDR5迭代，網(wǎng)通產(chǎn)品也普及了DDR4，而嵌入式存儲產(chǎn)品今年有望從DDR3升級到DDR4。一方面原因是DDR3減產(chǎn)導(dǎo)致供給不足，消費者對存儲性能要求提升；另一方面，去年疫情影響了消費信心，運營商支出縮減，導(dǎo)致DDR4推廣進程被推遲。

“大為創(chuàng)芯會將DDR3和DDR4作為今年推廣重點。”陳宗廷表示，“今年公司嵌入式存儲的重點還是以網(wǎng)通為應(yīng)用中心，配合大為股份智能終端事業(yè)板塊的發(fā)展?！?/p>

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