安森美開發(fā)IGBT FS7開關平臺，性能領先，應用工業(yè)市場

【資料圖】

全新1200 V器件提供領先市場的導通和開關性能

領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效，將主要用于能源基礎設施應用，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動汽車充電電源轉換。

新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗可實現(xiàn)更高的開關頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。對于高功率能源基礎設施應用，F(xiàn)S7器件的正溫度系數(shù)使其能夠輕松實現(xiàn)并聯(lián)運行。

安森美高級副總裁兼電源方案部先進電源分部總經(jīng)理Asif Jakwani說：“由于能效在所有高開關頻率的能源基礎設施應用中極為關鍵，所以我們專注于降低關斷損耗，這新系列的IGBT提供極佳的開關性能，其業(yè)界領先的性能使設計人員能夠在要求非常高的高功率能源基礎設施應用中滿足最具挑戰(zhàn)的能效要求?！?/p>

FS7器件包括高速（S系列）和中速（R系列）版本。所有器件都含一個優(yōu)化的二極管，實現(xiàn)低V_F，減少開關損耗，可在高達175℃的結溫（T_J）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的開關性能領先市場現(xiàn)有1200V IGBT。經(jīng)7倍額定電流的測試，這種高可靠性的IGBT產(chǎn)品展現(xiàn)出出類拔萃的抗閂鎖能力。R系列針對以導通損耗為主的中速開關應用如電機控制和固態(tài)繼電器進行了優(yōu)化。 FGY100T120RWD在100 A時V_CESAT低至1.45V，比前一代器件降低了0.4V。

FS7器件可采用TO247-3L, TO247-4L, Power TO247-3L等封裝，也可提供裸片，為設計人員提供靈活性和設計備選配置。

關于安森美（onsemi）

安森美（onsemi, 納斯達克股票代號：ON）正推動顛覆性創(chuàng)新，幫助建設更美好的未來。公司專注于汽車和工業(yè)終端市場，正加速推動大趨勢的變革，包括汽車功能電子化和安全、可持續(xù)電網(wǎng)、工業(yè)自動化以及5G和云基礎設施等。安森美提供高度差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品組合以及智能電源和智能感知技術，以解決全球最復雜的挑戰(zhàn)，引領創(chuàng)造更安全、更清潔、更智能的世界。安森美位列《財富》美國500強，也被納入標普500指數(shù)。了解更多關于安森美的信息，請訪問：http://www.onsemi.cn。

關鍵詞：