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天天通訊!Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo),現(xiàn)已按照功率級(jí)別劃分

公司的高壓氮化鎵(GaN)器件在各種功率級(jí)別的應(yīng)用中持續(xù)提供一流的可靠性?

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)發(fā)布了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的最新可靠性指標(biāo)??煽啃圆捎檬?FIT)來(lái)衡量,這種分析方式考慮了在應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)使用時(shí)客戶報(bào)告的故障器件數(shù)量。到目前為止,基于超過(guò)850億小時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)操作進(jìn)行測(cè)量,該公司全部產(chǎn)品組合的可靠性已達(dá)到平均值小于0.1 FIT的水平。這一指標(biāo)在業(yè)界名類前茅,也是目前GaN電源解決方案中唯一報(bào)告的寬功率譜可靠性指標(biāo)。?


(資料圖片)

Transphorm在構(gòu)建其GaN平臺(tái)之初便考慮了可靠性,在寬帶隙技術(shù)剛進(jìn)入市場(chǎng)時(shí)便深知其重要性:盡管GaN擁有比硅基晶體管更高的性能,但若非器件在實(shí)際使用中出現(xiàn)故障,客戶不會(huì)在當(dāng)時(shí)選擇切換到新技術(shù)。2019年,Transphorm成為首家公布完整驗(yàn)證數(shù)據(jù)集以支持其可靠性聲明的GaN制造商。自此之后,該公司定期分享其GaN可靠性成果,幫助潛在客戶在選擇半導(dǎo)體供貨商時(shí)做出明智的決策。Transphorm上一次報(bào)告其FIT率是在2022年第一季度,數(shù)值小于0.3。?

今年,Transphorm在改變客戶評(píng)估GaN FET選項(xiàng)方面又向前邁出了一步。公司經(jīng)過(guò)考慮,將其可靠性數(shù)據(jù)分為兩類:?

低功率:用于功率級(jí)別≤ 500W的應(yīng)用中的GaN器件

高功率:用于功率級(jí)別> 500W的應(yīng)用中的GaN器件

如果按功率級(jí)別類型來(lái)考察器件性能,Transphorm旗下GaN FET的可靠性指標(biāo)如下,這些指標(biāo)與硅基功率器件極為相近:?

低功率:0.06 FIT

高功率:0.19 FIT

Transphorm業(yè)務(wù)發(fā)展與營(yíng)銷高級(jí)副總裁Philip Zuk表示:“我們的高壓GaN器件適合極為廣泛的應(yīng)用,涵蓋極為廣泛的功率譜,目前為45瓦到4千瓦,隨著GaN在新市場(chǎng)的應(yīng)用,有可能達(dá)到10千瓦以上。這表明我們的技術(shù)具有顯著的通用性。然而,我們也意識(shí)到,僅僅報(bào)告涵蓋所有應(yīng)用類型的單一可靠性指標(biāo),可能對(duì)客戶不會(huì)有太大幫助。我們認(rèn)為有必要幫助他們獲得細(xì)分度更高的數(shù)據(jù),以適用于客戶的具體設(shè)計(jì)要求。因此,我們?cè)诘凸β屎透吖β手g做了細(xì)分。”?

跨行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商

Transphorm憑借其器件質(zhì)量和可靠性繼續(xù)保持高壓GaN的領(lǐng)導(dǎo)地位。該公司向各種終端市場(chǎng)發(fā)貨,如適配器、PC計(jì)算、區(qū)塊鏈、數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電力存儲(chǔ)等。?

如需進(jìn)一步了解SuperGaN技術(shù)的差異化優(yōu)勢(shì),請(qǐng)?jiān)L問(wèn)此處:http://bit.ly/38HHGF7。?

關(guān)于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者,致力于設(shè)計(jì)、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合之一,持有或取得授權(quán)的專利超過(guò)1,000多項(xiàng),在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式,公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個(gè)階段進(jìn)行創(chuàng)新:設(shè)計(jì)、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新正在使電力電子設(shè)備突破硅的局限性,以使效率超過(guò)99%、將功率密度提高40%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本會(huì)津設(shè)有制造工廠。如需了解更多信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.transphormusa.com。歡迎在Twitter?@transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關(guān)注我們。?

原文版本可在businesswire.com上查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20221215005222/en/

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