東芝開發(fā)帶嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管的低導(dǎo)通電阻高可靠性SiC MOSFET

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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和東芝株式會(huì)社(Toshiba Corporation)（統(tǒng)稱“東芝”）已經(jīng)開發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)排列成方格狀（方格狀嵌入式SBD），以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。東芝已經(jīng)證實(shí)，與目前的SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)能夠在不影響可靠性的前提下，將導(dǎo)通電阻[1]?(RonA)降低約20%。[2]

東芝：新開發(fā)的方格狀SBD嵌入式SiC MOSFET的MOSFET示意圖（圖示：美國(guó)商業(yè)資訊）

關(guān)鍵詞： 株式會(huì)社 肖特基勢(shì)壘二極管 高可靠性 的前提下 電子元件