硅納米陣列太陽(yáng)能電池關(guān)鍵技術(shù)研究

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實(shí)驗(yàn)室在現(xiàn)有晶硅基片的基礎(chǔ)上，通過(guò)堿液對(duì)微納結(jié)構(gòu)發(fā)射結(jié)進(jìn)行去除重?fù)綄雍湾F型化處理，形成納米線(xiàn)陣列，減少俄歇復(fù)合和提高光吸收能力。利用堿液處理手段調(diào)控微納多尺度結(jié)構(gòu)的表面雜質(zhì)濃度分布，明確載流子表面復(fù)合機(jī)制，建立硅納米線(xiàn)陣列與光伏性能的關(guān)系。在無(wú)減反射層的情況下，通過(guò)對(duì)幾何形狀和尺寸的調(diào)控，在300-1100nm波段平均反射率僅在1%左右。實(shí)驗(yàn)室重點(diǎn)研究堿液處理工藝對(duì)微納多尺度結(jié)構(gòu)光伏性能的調(diào)控，提高晶硅電池的轉(zhuǎn)化效率，有效降低其生產(chǎn)成本。

關(guān)鍵詞：